Биполярный транзистор BC817-40WT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC817-40WT1G
Маркировка: CE
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.46 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT323
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC817-40WT1G Datasheet (PDF)
bc817-40wt1g.pdf

BC817-40W45 V, 0.5 A, GeneralPurpose NPN TransistorON Semiconductors BC817-40W is a General Purpose NPNTransistor that is housed in the SC-70/SOT-323 package.Featureswww.onsemi.com AEC-Q101 Qualified and Consult Factory for PPAP Capable This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbo
lbc817-40wt1g lbc817-40wt3g.pdf

LBC817-40WT1GS-LBC817-40WT1GNPN Silicon General Purpose Transistors1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevic
lbc817-40wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LBC817-40WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40WT1G3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmit
bc817-40wt1.pdf

FM120-M WILLASTHRUBC817-40WT1General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3837 | PN2222-H | 2SD1138 | L8550PLT3G | A966Y | 2SC3357D
History: 2SC3837 | PN2222-H | 2SD1138 | L8550PLT3G | A966Y | 2SC3357D



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77