Справочник транзисторов. BC817-40WT1G

 

Биполярный транзистор BC817-40WT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC817-40WT1G
   Маркировка: CE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.46 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC817-40WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
bc817-40wt1g.pdfpdf_icon

BC817-40WT1G

BC817-40W45 V, 0.5 A, GeneralPurpose NPN TransistorON Semiconductors BC817-40W is a General Purpose NPNTransistor that is housed in the SC-70/SOT-323 package.Featureswww.onsemi.com AEC-Q101 Qualified and Consult Factory for PPAP Capable This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbo

 0.1. Size:315K  lrc
lbc817-40wt1g lbc817-40wt3g.pdfpdf_icon

BC817-40WT1G

LBC817-40WT1GS-LBC817-40WT1GNPN Silicon General Purpose Transistors1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevic

 0.2. Size:170K  lrc
lbc817-40wt1g.pdfpdf_icon

BC817-40WT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LBC817-40WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40WT1G3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmit

 3.1. Size:287K  willas
bc817-40wt1.pdfpdf_icon

BC817-40WT1G

FM120-M WILLASTHRUBC817-40WT1General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3837 | PN2222-H | 2SD1138 | L8550PLT3G | A966Y | 2SC3357D

 

 
Back to Top

 


 
.