BC848BW-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC848BW-G

Маркировка: 1K

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC848BW-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC848BW-G даташит

 ..1. Size:123K  comchip
bc848bw-g bc847bw-g.pdfpdf_icon

BC848BW-G

Small Signal Transistor BC846AW-G Thru. BC848CW-G (NPN) RoHS Device Features -Power dissipation PCM 0.15W (@TA=25 C) SOT-323 -Collector current ICM 0.1A 0.087 (2.20) -Collector-base voltage 0.079 (2.00) VCBO BC846W=80V 3 BC847W=50V 0.053(1.35) BC848W=30V 0.045(1.15) -Operating and storage junction temperature 1 2 range TJ, TSTG= -55 to +150 C 0.006 (0.15) 0.055

 6.1. Size:1070K  panjit
bc846aw-au bc847aw-au bc848aw-au bc846bw-au bc847bw-au bc848bw-au bc849bw-au bc850bw-au bc847cw-au bc848cw-au bc849cw-au bc850cw-au.pdfpdf_icon

BC848BW-G

BC846AW-AU BC850CW-AU NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 30/45/65 Volt POWER 250 mWatt VOLTAGE FEATURES General purpose amplifier applications NPN epitaxial silicon, planar design Collector current IC = 100mA AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61249 standard MECHANICAL DATA Case SOT-323, Plastic

 7.1. Size:145K  rohm
bc848bw bc848bw bc848b.pdfpdf_icon

BC848BW-G

BC848BW / BC848B Transistors NPN General Purpose Transistor BC848BW / BC848B Features External dimensions (Unit mm) 1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA) BC848BW 2) Complements the BC858B / BC858BW. 2.0 0.2 1.3 0.1 0.9 0.1 0.65 0.65 0.2 0.7 0.1 (1) (2) 0 0.1 (3) +0.1 0.3 (1) Emitter -0 0.15 0.05 ROHM UMT3 (2) Base All terminals have same dimensions EIAJ SC-7

 7.2. Size:522K  rohm
bc848bw bc848b.pdfpdf_icon

BC848BW-G

BC848BW / BC848B Transistors NPN General Purpose Transistor BC848BW / BC848B Features External dimensions (Unit mm) 1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA) BC848BW 2) Complements the BC858B / BC858BW. SOT-323 2.0 0.2 1.3 0.1 0.9 0.1 0.65 0.65 0.2 0.7 0.1 (1) (2) 0 0.1 (3) +0.1 0.3 (1) Emitter -0 0.15 0.05 ROHM UMT3 (2) Base All terminals have same dimensions EI

Другие транзисторы: BC848ALT1G, BC848AW-G, BC848AWT1G, BC848BF, BC848B-G, BC848BL3, BC848BLT1G, BC848BLT3G, BC547B, BC848BWT1G, BC848CDW1T1G, BC848CDXV6T1G, BC848C-G, BC848CLT1G, BC848CPDW1T1G, BC848CW-G, BC848CWT1G