BC848BW-G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC848BW-G
Маркировка: 1K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для BC848BW-G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC848BW-G даташит
bc848bw-g bc847bw-g.pdf
Small Signal Transistor BC846AW-G Thru. BC848CW-G (NPN) RoHS Device Features -Power dissipation PCM 0.15W (@TA=25 C) SOT-323 -Collector current ICM 0.1A 0.087 (2.20) -Collector-base voltage 0.079 (2.00) VCBO BC846W=80V 3 BC847W=50V 0.053(1.35) BC848W=30V 0.045(1.15) -Operating and storage junction temperature 1 2 range TJ, TSTG= -55 to +150 C 0.006 (0.15) 0.055
bc846aw-au bc847aw-au bc848aw-au bc846bw-au bc847bw-au bc848bw-au bc849bw-au bc850bw-au bc847cw-au bc848cw-au bc849cw-au bc850cw-au.pdf
BC846AW-AU BC850CW-AU NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 30/45/65 Volt POWER 250 mWatt VOLTAGE FEATURES General purpose amplifier applications NPN epitaxial silicon, planar design Collector current IC = 100mA AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61249 standard MECHANICAL DATA Case SOT-323, Plastic
bc848bw bc848bw bc848b.pdf
BC848BW / BC848B Transistors NPN General Purpose Transistor BC848BW / BC848B Features External dimensions (Unit mm) 1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA) BC848BW 2) Complements the BC858B / BC858BW. 2.0 0.2 1.3 0.1 0.9 0.1 0.65 0.65 0.2 0.7 0.1 (1) (2) 0 0.1 (3) +0.1 0.3 (1) Emitter -0 0.15 0.05 ROHM UMT3 (2) Base All terminals have same dimensions EIAJ SC-7
bc848bw bc848b.pdf
BC848BW / BC848B Transistors NPN General Purpose Transistor BC848BW / BC848B Features External dimensions (Unit mm) 1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA) BC848BW 2) Complements the BC858B / BC858BW. SOT-323 2.0 0.2 1.3 0.1 0.9 0.1 0.65 0.65 0.2 0.7 0.1 (1) (2) 0 0.1 (3) +0.1 0.3 (1) Emitter -0 0.15 0.05 ROHM UMT3 (2) Base All terminals have same dimensions EI
Другие транзисторы: BC848ALT1G, BC848AW-G, BC848AWT1G, BC848BF, BC848B-G, BC848BL3, BC848BLT1G, BC848BLT3G, BC547B, BC848BWT1G, BC848CDW1T1G, BC848CDXV6T1G, BC848C-G, BC848CLT1G, BC848CPDW1T1G, BC848CW-G, BC848CWT1G
History: D56W2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor














