Биполярный транзистор BC857BLT3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC857BLT3G
Маркировка: 3F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BC857BLT3G
BC857BLT3G Datasheet (PDF)
bc856blt1g bc857clt3g bc856blt3g bc857blt1g bc857blt3g bc858blt3g bc858alt1g bc857clt1g.pdf
BC856ALT1G Series,SBC856ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSBASECompliant2EMITTER3MAXIMUM RATINGS
nsvbc857blt3g.pdf
BC856ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsPNP SiliconFeatureshttp://onsemi.com S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101COLLECTORQualified and PPAP Capable3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless other
lbc856alt3g lbc856blt3g lbc857alt1g lbc857blt3g lbc857clt1g lbc858alt1g lbc858blt3g lbc858clt3g lbc859blt1g lbc859clt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLBC857CLT1GPNP Silicon SeriesS-LBC857CLT1G Moisture Sensitivity Level: 1 Series ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V We declare that the material of product compliance with 3RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site a
lbc856alt1g lbc856alt3g lbc856blt1g lbc856blt3g lbc857alt1g lbc857alt1g lbc857blt1g lbc857blt3g lbc857clt1g lbc857clt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating Human Body Model: >4000 VLBC857CLT1GESD Rating Machine Model: >400 VS-LBC857CLT1G We declare that the material of product compliance with SeriesRoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Ch
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050