BC857CWR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC857CWR

Маркировка: 3GTR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.275 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BC857CWR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857CWR даташит

 ..1. Size:401K  central
bc857cwr bc857bwr.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC856W SERIES BC857W SERIES www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and BC857W Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE SEE MARKING CODE

 7.1. Size:157K  nxp
bc856w bc856aw bc856bw bc857w bc857aw bc857bw bc857cw bc858w.pdfpdf_icon

BC857CWR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 BC856W; BC857W; BC858W PNP general purpose transistors Product data sheet 2002 Feb 04 Supersedes data of 1999 Apr 12 NXP Semiconductors Product data sheet BC856W; BC857W; PNP general purpose transistors BC858W FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 base 2 emitter

 7.2. Size:140K  infineon
bc856a bc856b bc856bw bc857a bc857b bc857bf bc857bl3 bc857bw bc857c bc857cw bc858a bc858b bc858bl3 bc858bw bc858c bc858cw bc859b bc859c bc860b bc860bw bc860cw.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC856...-BC860... PNP Silicon AF Transistor For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 hz and 15 kHz Complementary types BC846...-BC850... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 1 Pb-containing package may be available upon special request 20

 7.3. Size:861K  infineon
bc857a bc857b bc857bl3 bc857bw bc857c bc857cw bc858a bc858b bc858bw bc858c bc858cw bc859c bc860b bc860bw bc860cw.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC857...-BC860... PNP Silicon AF Transistor For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 hz and 15 kHz Complementary types BC847...-BC850... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q1011) 1 BC857BL3 is not qualified according AEC Q101 Type Marking Pin

Другие транзисторы: BC857BWR, BC857BWT1G, BC857CDW1T1G, BC857CLT1G, BC857CLT3G, BC857CM, BC857CMB, BC857CW-G, 2SC2073, BC857CWT1G, BC857LT1, BC857M, BC857QAS, BC858ALT1G, BC858AW-G, BC858AWT1G, BC858BLT1G