Справочник транзисторов. BC857CWR

 

Биполярный транзистор BC857CWR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC857CWR
   Маркировка: 3GTR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.275 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC857CWR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  central
bc857cwr bc857bwr.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC856W SERIESBC857W SERIESwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856W and BC857W Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE

 7.1. Size:157K  nxp
bc856w bc856aw bc856bw bc857w bc857aw bc857bw bc857cw bc858w.pdfpdf_icon

BC857CWR

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102BC856W; BC857W; BC858WPNP general purpose transistorsProduct data sheet 2002 Feb 04Supersedes data of 1999 Apr 12NXP Semiconductors Product data sheetBC856W; BC857W; PNP general purpose transistorsBC858WFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 base2 emitter

 7.2. Size:140K  infineon
bc856a bc856b bc856bw bc857a bc857b bc857bf bc857bl3 bc857bw bc857c bc857cw bc858a bc858b bc858bl3 bc858bw bc858c bc858cw bc859b bc859c bc860b bc860bw bc860cw.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC856...-BC860...PNP Silicon AF Transistor For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 hz and 15 kHz Complementary types: BC846...-BC850... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q1011Pb-containing package may be available upon special request20

 7.3. Size:861K  infineon
bc857a bc857b bc857bl3 bc857bw bc857c bc857cw bc858a bc858b bc858bw bc858c bc858cw bc859c bc860b bc860bw bc860cw.pdfpdf_icon

BC857CWR

BC857...-BC860...PNP Silicon AF Transistor For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 hz and 15 kHz Complementary types: BC847...-BC850... (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q1011)1BC857BL3 is not qualified according AEC Q101Type Marking Pin

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BFP92AW | FC1404 | CDB550 | 2SD2051 | HA06 | 2SA1427O | HSE401

 

 
Back to Top

 


 
.