BCW30LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW30LT1G

Маркировка: C2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 215

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW30LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW30LT1G даташит

 ..1. Size:101K  onsemi
 bcw30lt1g.pdf pdf_icon

BCW30LT1G

BCW30LT1 General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit Collector - Emitter Voltage VCEO -32 Vdc 2 EMITTER Collector - Base Voltage VCBO -32 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -100 mAdc 3 THERMAL CHARACTERISTICS Characteris

 ..2. Size:300K  onsemi
 bcw30lt1g sbcw30lt1g.pdf pdf_icon

BCW30LT1G

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 0.1. Size:154K  onsemi
 sbcw30lt1g.pdf pdf_icon

BCW30LT1G

BCW30LT1G, SBCW30LT1G General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Ratin

 6.1. Size:451K  motorola
 bcw29lt1 bcw30lt1.pdf pdf_icon

BCW30LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCW29LT1/D General Purpose Transistors BCW29LT1 PNP Silicon COLLECTOR BCW30LT1 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 32 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 32 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCP56-10T3G, BCP5616Q, BCP56-16T1G, BCP56-16T3G, BCP56T1G, BCP56T3G, BCP68T1G, BCP69T1G, BC556, BCW32LT1G, BCW33LT1G, BCW33LT3G, BCW35X, BCW65ALT1G, BCW65CLT1G, BCW66GLT1G, BCW68GLT1G