Справочник транзисторов. BCW30LT1G

 

Биполярный транзистор BCW30LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW30LT1G
   Маркировка: C2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 215
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCW30LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW30LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  onsemi
bcw30lt1g.pdfpdf_icon

BCW30LT1G

BCW30LT1General PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector - Emitter Voltage VCEO -32 Vdc2EMITTERCollector - Base Voltage VCBO -32 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -100 mAdc3THERMAL CHARACTERISTICSCharacteris

 ..2. Size:300K  onsemi
bcw30lt1g sbcw30lt1g.pdfpdf_icon

BCW30LT1G

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 0.1. Size:154K  onsemi
sbcw30lt1g.pdfpdf_icon

BCW30LT1G

BCW30LT1G, SBCW30LT1GGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318-08STYLE 6COLLECTORMAXIMUM RATINGS3Ratin

 6.1. Size:451K  motorola
bcw29lt1 bcw30lt1.pdfpdf_icon

BCW30LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW29LT1/DGeneral Purpose TransistorsBCW29LT1PNP SiliconCOLLECTORBCW30LT131BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 32 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage VEBO 5.0 Vdc

Другие транзисторы... BCP56-10T3G , BCP5616Q , BCP56-16T1G , BCP56-16T3G , BCP56T1G , BCP56T3G , BCP68T1G , BCP69T1G , BC639 , BCW32LT1G , BCW33LT1G , BCW33LT3G , BCW35X , BCW65ALT1G , BCW65CLT1G , BCW66GLT1G , BCW68GLT1G .

History: ST901T | KT3126A9 | DTC114EM3 | 3DG2060 | DT1111 | BCF30 | RN2325A

 

 
Back to Top

 


 
.