Биполярный транзистор BCW66GLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCW66GLT1G
Маркировка: EG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCW66GLT1G
BCW66GLT1G Datasheet (PDF)
bcw66glt1g.pdf
BCW66GLT1G,SBCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23Compliant*(TO-236)CASE 318-08 STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTORRatin
bcw66glt1g sbcw66glt1g.pdf
BCW66GLT1G,SBCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant SOT-23(TO-236)CASE 318 STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTORRating Symbol Va
sbcw66glt1g.pdf
BCW66GLT1G,SBCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23Compliant*(TO-236)CASE 318-08 STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTORRatin
bcw66glt1-d.pdf
BCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR31BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERCollector-Emitter Voltage VCEO 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 VdcSOT-23CASE 318Collector Current - Continuo
bcw66glt1.pdf
FM120-M WILLASBCW66GLT1THRUGeneral Purpose TransistorsFM1200-M1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProducPackage outlineFeaturesNPN Silicon Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and the We declare that the material of product rmal resistance. SOD-123H Low profile
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MP1542A
History: MP1542A
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050