Справочник транзисторов. BCW68GLT1G

 

Биполярный транзистор BCW68GLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW68GLT1G
   Маркировка: DG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCW68GLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW68GLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  onsemi
 bcw68glt1g.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GLGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASE2MAXIMUM RATINGSEMITTERRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Vo

 0.1. Size:65K  onsemi
 nsvbcw68glt1g.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GLGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASE2MAXIMUM RATINGSEMITTERRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Vo

 5.1. Size:108K  onsemi
 bcw68glt1.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GLT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -45 Vdc2EMITTERCollector-Base Voltage VCBO -60 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -800 mAdc3

 5.2. Size:292K  willas
 bcw68glt1.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

FM120-M WILLASBCW68GLT1THRUGeneral Purpose TransistorsFM1200-M1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProduPackage outlineFeatures Batch procesPNP Silicons design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BCW30LT1G , BCW32LT1G , BCW33LT1G , BCW33LT3G , BCW35X , BCW65ALT1G , BCW65CLT1G , BCW66GLT1G , B647 , BCW70LT1G , BCW72LT1G , BCX13 , BCX17CSM , BCX17LT1G , BCX19LT1G , BCX5616Q , BCY38A .

 

 
Back to Top

 


 
.