BCW68GLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW68GLT1G

Маркировка: DG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW68GLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW68GLT1G даташит

 ..1. Size:65K  onsemi
 bcw68glt1g.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GL General Purpose Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 MAXIMUM RATINGS EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Vo

 0.1. Size:65K  onsemi
 nsvbcw68glt1g.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GL General Purpose Transistor PNP Silicon Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable COLLECTOR 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 MAXIMUM RATINGS EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Vo

 5.1. Size:108K  onsemi
 bcw68glt1.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

BCW68GLT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS BASE Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -45 Vdc 2 EMITTER Collector-Base Voltage VCBO -60 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -800 mAdc 3

 5.2. Size:292K  willas
 bcw68glt1.pdf pdf_icon

BCW68GLT1G

FM120-M WILLAS BCW68GLT1THRU General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produ Package outline Features Batch proces PNP Silicons design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCW30LT1G, BCW32LT1G, BCW33LT1G, BCW33LT3G, BCW35X, BCW65ALT1G, BCW65CLT1G, BCW66GLT1G, 2SC828, BCW70LT1G, BCW72LT1G, BCX13, BCX17CSM, BCX17LT1G, BCX19LT1G, BCX5616Q, BCY38A