BF822W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BF822W
Маркировка: 1W_1W-_1Wt
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для BF822W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BF822W даташит
bf820w bf822w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt
bf822w.pdf
SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification BF822W Features Low current (max. 50 mA) High voltage (max. 250 V). 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage (open emitter) VCBO 250 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO 250 V Emitter-base voltage (open collector) VE
bf820 bf822 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co
bf820 bf822.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820; BF822 NPN high-voltage transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profe
Другие транзисторы: BCY79-X, BF257CSM4, BF257DCSM, BF258DCSM, BF422G, BF720T1G, BF721T1G, BF748, 13007, BFG10WX, BFG10X, BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, BFT30DCSM
History: 2SC647P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor








