BF822W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF822W

Маркировка: 1W_1W-_1Wt

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BF822W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF822W даташит

 ..1. Size:46K  philips
bf820w bf822w.pdfpdf_icon

BF822W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt

 ..2. Size:92K  tysemi
bf822w.pdfpdf_icon

BF822W

SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification BF822W Features Low current (max. 50 mA) High voltage (max. 250 V). 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage (open emitter) VCBO 250 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO 250 V Emitter-base voltage (open collector) VE

 9.1. Size:47K  philips
bf820 bf822 3.pdfpdf_icon

BF822W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co

 9.2. Size:99K  philips
bf820 bf822.pdfpdf_icon

BF822W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820; BF822 NPN high-voltage transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profe

Другие транзисторы: BCY79-X, BF257CSM4, BF257DCSM, BF258DCSM, BF422G, BF720T1G, BF721T1G, BF748, 13007, BFG10WX, BFG10X, BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, BFT30DCSM