BFT33B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT33B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO205AD

 Аналоги (замена) для BFT33B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT33B даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bft33b.pdf pdf_icon

BFT33B

BFT33B Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

 9.1. Size:10K  semelab
 bft33l.pdf pdf_icon

BFT33B

BFT33L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 80V 5.08 (0.200) IC = 5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can be

 9.2. Size:33K  semelab
 bft33a.pdf pdf_icon

BFT33B

BFT33A MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) NPN SILICON TRANSISTOR 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) FEATURES 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 0.89 (0.035)max. 12.70 (0.500) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. 5.08 (0.200) typ. APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS 2.54 2 (0.100) 1 3 MOTOR CONTROL 0.66 (0

Другие транзисторы: BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, BFT30DCSM, BFT32A, BFT33A, 2SD718, BFT33L, BFT34A, BFT36A, BFT36L, BFT44S, BFT46DCSM, BFT57CSM, BFT57DCSM