BFT33B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFT33B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO205AD

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BFT33B datasheet

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BFT33B

BFT33B Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

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BFT33B

BFT33L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 80V 5.08 (0.200) IC = 5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can be

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BFT33B

BFT33A MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) NPN SILICON TRANSISTOR 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) FEATURES 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 0.89 (0.035)max. 12.70 (0.500) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. 5.08 (0.200) typ. APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS 2.54 2 (0.100) 1 3 MOTOR CONTROL 0.66 (0

Otros transistores... BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, BFT30DCSM, BFT32A, BFT33A, 2SA1943, BFT33L, BFT34A, BFT36A, BFT36L, BFT44S, BFT46DCSM, BFT57CSM, BFT57DCSM