BTB1426A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1426A3

Маркировка: B1426

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BTB1426A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1426A3 даташит

 ..1. Size:157K  cystek
btb1426a3.pdfpdf_icon

BTB1426A3

Spec. No. C816A3-H Issued Date 2003.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(SAT) BTB1426A3 Description The BTB1426A3 is designed especially for use in strobo flash and medium power amplifier applications. Features High DC current gain and excellent h linearity. FE Low Saturation Voltage V =-0.5

 8.1. Size:229K  cystek
btb1424at3.pdfpdf_icon

BTB1426A3

Spec. No. C817T3 Issued Date 2005.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.02.17 Page No. 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424AT3 Features Low VCE(sat), typically -0.3V at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150AT3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1424AT3 TO-12

 8.2. Size:310K  cystek
btb1424n3.pdfpdf_icon

BTB1426A3

Spec. No. C817N3-R Issued Date 2003.04.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.04 Page No. 1/6 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BVCEO -50V IC -3A BTB1424N3 RCESAT(typ.) 0.125 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.25V(typ)(I =-2A, I =-100mA). CE(sat) C B Complementary to BTD2150N3

 8.3. Size:217K  cystek
btb1424a3.pdfpdf_icon

BTB1426A3

Spec. No. C817A3-R Issued Date 2006.05.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.04.24 Page 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424A3 Features Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150A3 Pb-free package Symbol Outline BTB1424A3 TO-92 B Base C Co

Другие транзисторы: BT2222, BT2222A, BT3904, BTA1012E3, BTA1015A3, BTA2039J3, BTB1184J3S, BTB1236AL3, TIP127, BTB7150N3, BTB772SA3, BTC2328AK3, BTC4621K3, BTD1805D3, C2611, C3150, C3875S