Биполярный транзистор C3150 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C3150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220 TO257
C3150 Datasheet (PDF)
3da3150 c3150.pdf
3DA3150(C3150) NPN PCM TC=25 50 W ICM 3.0 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB1mA 900 V V(BR)CEO ICE5mA 800 V V(BR)EBO IEB1mA 7.0 V ICBO VCE=800V 10 A IEBO VEB=5V 10 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB=0.3A VCEsat 2.0 VC
c3150.pdf
3DA3150(C3150) NPN PCM TC=25 50 W ICM 3.0 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB1mA 900 V V(BR)CEO ICE5mA 800 V V(BR)EBO IEB1mA 7.0 V ICBO VCE=800V 10 A IEBO VEB=5V 10 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB=0.3A VCEsat 2.0 VC
2sc3150.pdf
Ordering number:EN1069CNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3150800V/3A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 900V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[2SC3150]1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParame
2sc3150a.pdf
2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Switching regulator applications. : Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V
2sc3150k 2sc3150l 2sc3150m.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3150DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 900V(Min)(BR)CBOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 900 VCBOV Collector-Emitter Voltage 800 V
2sc3150.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3150DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 900V(Min)(BR)CBOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050