Биполярный транзистор CEN-U07 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CEN-U07
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO202
CEN-U07 Datasheet (PDF)
cen-u07.pdf
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07 NPNCEN-U55 CEN-U56 CEN-U57 PNPwww.centralsemi.comCOMPLEMENTARY SILICONDESCRIPTION:POWER TRANSISTORSThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U05/U55series types are complementary silicon power transistors designed for general purpose audio amplifier applications. These devices are electrically equivalent to National Semiconductors NSDU05, NSDU06, NSDU07, NSD
cen-u05.pdf
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07 NPNCEN-U55 CEN-U56 CEN-U57 PNPwww.centralsemi.comCOMPLEMENTARY SILICONDESCRIPTION:POWER TRANSISTORSThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U05/U55series types are complementary silicon power transistors designed for general purpose audio amplifier applications. These devices are electrically equivalent to National Semiconductors NSDU05, NSDU06, NSDU07, NSD
cen-u01a.pdf
Power TransistorsTO-202 CaseTYPE NO. IC PD BVCBO BVCEO hFE @ IC VCE(SAT) @ IC fT(A) (W) (V) (V) (mA) (V) (A) (MHz)NPN PNP MAX MIN MIN MIN MAX MAX MIN2N6548 2.0 2.0 50 40 25,000 150,000 200 2.0 2.0 1002N6549 2.0 2.0 50 40 15,000 150,000 200 2.0 2.0 1002N6551 2N6554 1.0 2.0 60 60 80 300 50 1.0 1.0 752N6552 2N6555 1.0 2.0 80 80 80 300 50 1.0 1.0 752N6553 2N6556 1.0 2.0 100 100 80
cen-u06.pdf
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07 NPNCEN-U55 CEN-U56 CEN-U57 PNPwww.centralsemi.comCOMPLEMENTARY SILICONDESCRIPTION:POWER TRANSISTORSThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U05/U55series types are complementary silicon power transistors designed for general purpose audio amplifier applications. These devices are electrically equivalent to National Semiconductors NSDU05, NSDU06, NSDU07, NSD
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050