Биполярный транзистор CH858BGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CH858BGP
Маркировка: J18_3K_J19
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: SOT23
CH858BGP Datasheet (PDF)
..1. Size:166K chenmko
ch858bgp.pdf
ch858bgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH858BGPSURFACE MOUNT PNP General Purpose TransistorVOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 AmpereAPPLICATION* AF input stages and driver applicationon equipment.* Other general purpose applications.FEATURESOT-23* Small surface mounting type. (SOT-23)* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High sat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
