CH858BGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CH858BGP

Маркировка: J18_3K_J19

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для CH858BGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CH858BGP даташит

 ..1. Size:166K  chenmko
 ch858bgp.pdf pdf_icon

CH858BGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH858BGP SURFACE MOUNT PNP General Purpose Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.1 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High sat

Другие транзисторы: CH817UPNGP, CH837SGP, CH837UPNGP, CH847BGP, CH847SGP, CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, C1815, CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP