CHBTA13GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHBTA13GP

Маркировка: NI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для CHBTA13GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHBTA13GP даташит

 ..1. Size:62K  chenmko
 chbta13gp.pdf pdf_icon

CHBTA13GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHBTA13GP SURFACE MOUNT NPN Darlington Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 1.2 Ampere APPLICATION * High current gain applications. FEATURE SOT-23 * Small surface mounting type. (SOT-23) * High current (Max.=1200mA). * Suitable for high packing density. * Low voltage (Max.=30V) . * High saturation current and current gain capability. (1) (3) CONSTRUC

Другие транзисторы: CH847SGP, CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, TIP41, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL