CJ10P20DE6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ10P20DE6

Маркировка: *718

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT-23-6L

 Аналоги (замена) для CJ10P20DE6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJ10P20DE6 даташит

 ..1. Size:513K  jiangsu
 cj10p20de6.pdf pdf_icon

CJ10P20DE6

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJ10P20DE6 TRANSISTOR (PNP) SOT-23-6L FEATURES Suitable for reducing set s size as a result from enabling high-density mounting due to one pin small packages Low series resistance Low capacitance MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Val

Другие транзисторы: CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, TIP122, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209, CM45-12A