CJL818C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJL818C

Маркировка: *818C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23-6L

 Аналоги (замена) для CJL818C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJL818C даташит

 ..1. Size:523K  jiangsu
 cjl818c.pdf pdf_icon

CJL818C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJL818C TRANSISTOR (PNP) DESCRIPTIONS SOT-23-6L The device is manufactured in low voltage PNP Planar T echnology with gain "Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high performance coupled with very low saturation voltage. FEATURE Very low collector to emitt

Другие транзисторы: CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, D882, CJP718, CM4209, CM45-12A, CM4957, CM5160, CM5583, CM5943, CMBT3904E