Биполярный транзистор CM45-12A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CM45-12A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT-119
CM45-12A Datasheet (PDF)
dim400xcm45-ts.pdf
Data DIM400XCM45-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6111-1 DS6111-2 January 2014 (LN31266) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 400A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 800A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary te
dim400xcm45-ts001.pdf
Data DIM400XCM45-TS001 IGBT Chopper Module Replaces DS6110-1 DS6110-2 January 2014 (LN31265) FEATURES KEY PARAMETERS 10.2kV Isolation VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 400A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 800A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050