Справочник транзисторов. CM45-12A

 

Биполярный транзистор CM45-12A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CM45-12A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-119
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CM45-12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  njs
 cm45-12a.pdf pdf_icon

CM45-12A

 9.1. Size:632K  dynex
 dim400xcm45-ts.pdf pdf_icon

CM45-12A

Data DIM400XCM45-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6111-1 DS6111-2 January 2014 (LN31266) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 400A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 800A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary te

 9.2. Size:632K  dynex
 dim400xcm45-ts001.pdf pdf_icon

CM45-12A

Data DIM400XCM45-TS001 IGBT Chopper Module Replaces DS6110-1 DS6110-2 January 2014 (LN31265) FEATURES KEY PARAMETERS 10.2kV Isolation VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 400A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 800A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: DTD143EK | 2SC765 | DTC123JEB | NKT108 | CL055P | 2SB443A | 2N5862

 

 
Back to Top

 


 
.