CM45-12A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM45-12A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-119

 Аналоги (замена) для CM45-12A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CM45-12A даташит

 ..1. Size:41K  njs
 cm45-12a.pdf pdf_icon

CM45-12A

 9.1. Size:632K  dynex
 dim400xcm45-ts.pdf pdf_icon

CM45-12A

Data DIM400XCM45-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6111-1 DS6111-2 January 2014 (LN31266) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 400A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 800A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary te

 9.2. Size:632K  dynex
 dim400xcm45-ts001.pdf pdf_icon

CM45-12A

Data DIM400XCM45-TS001 IGBT Chopper Module Replaces DS6110-1 DS6110-2 January 2014 (LN31265) FEATURES KEY PARAMETERS 10.2kV Isolation VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 400A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 800A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated

Другие транзисторы: CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209, 13009, CM4957, CM5160, CM5583, CM5943, CMBT3904E, CMBT3906E, CMBTA93, CMKT2207