CM5160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM5160

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-39

 Аналоги (замена) для CM5160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CM5160 даташит

 ..1. Size:36K  central
 cm5160.pdf pdf_icon

CM5160

TM Central CM5160 Semiconductor Corp. PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CM5160 is a silicon PNP RF transistor, mounted in a hermetically sealed package, designed for high frequency amplifier and non-saturated switching applications. This device is a replacement for the 2N5160. MARKING CODE FULL PART NUMBER JEDEC TO-39 CASE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы: CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209, CM45-12A, CM4957, A1941, CM5583, CM5943, CMBT3904E, CMBT3906E, CMBTA93, CMKT2207, CMKT2222A, CMKT2907A