CMPT3820. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CMPT3820
Маркировка: 38C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CMPT3820
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMPT3820 даташит
cmpt3820.pdf
CMPT3820 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3820 is a very low VCE(SAT) NPN Transistor, designed for applications where size and efficiency are prime requirements. Packaged in an industry standard SOT-23, this device brings updated electrical specifications and characteristics suitable for the most
cmpt3904 cmpt3906.pdf
CMPT3904 CMPT3904G* NPN CMPT3906 CMPT3906G* PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are SILICON TRANSISTORS complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications. MARKING COD
cmpt3904e cmpt3906e.pdf
CMPT3904E NPN CMPT3906E PNP www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION DESCRIPTION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3904E and SILICON TRANSISTORS CMPT3906E are Enhanced versions of the CMPT3904 and CMPT3906 complementary switching transistors in a SOT-23 surface mount package, designed for small signal switching applications, interface circuit & driver
cmpt3410.pdf
CMPT3410 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3410 type is a NPN Low VCE(SAT) silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. This device is designed for battery driven, handheld devices requiring high current and Low VCE(SAT). MARKING
Другие транзисторы: CMLT8099M, CMLTA44, CMLTA94, CMNT3904E, CMNT3906E, CMPT2222AE, CMPT2907AE, CMPT3410, BC549, CMPT3904E, CMPT3906E, CMPT404A, CMPT4209, CMPT491E, CMPT5087E, CMPT5088E, CMPT5401E
History: 2SB1197 | 2SB999 | 2SA1194K | 2SA1198 | 2SA1532 | 2SB993 | ZT709
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f






