CMPT7820. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMPT7820

Маркировка: 78C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMPT7820

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMPT7820 даташит

 ..1. Size:325K  central
 cmpt7820.pdf pdf_icon

CMPT7820

CMPT7820 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7820 is a very low VCE(SAT) PNP Transistor, designed for applications where size and efficiency are prime requirements. Packaged in an industry standard SOT-23, this device brings updated electrical specifications and characteristics suitable for the most

 9.1. Size:388K  central
 cmpt7410.pdf pdf_icon

CMPT7820

CMPT7410 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7410 type PNP SILICON TRANSISTOR is a PNP Low VCE(SAT) silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. This device is designed for battery driven, handheld devices requiring high current and Low VCE(SAT). MARKING

Другие транзисторы: CMPT491E, CMPT5087E, CMPT5088E, CMPT5401E, CMPT5551E, CMPT5551HC, CMPT591E, CMPT7410, S9018, CMPT992, CMPT992P, CMPTA14E, CMPTA42E, CMPTA46, CMPTA77, CMPTA92E, CMPTA94