CMPT7820 Todos los transistores

 

CMPT7820 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMPT7820
   Código: 78C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CMPT7820 Datasheet (PDF)

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CMPT7820

CMPT7820www.centralsemi.comSURFACE MOUNTVERY LOW VCE(SAT)DESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7820 is a very low VCE(SAT) PNP Transistor, designed forapplications where size and efficiency are primerequirements. Packaged in an industry standard SOT-23, this device brings updated electrical specifications and characteristics suitable for the most

 9.1. Size:388K  central
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CMPT7820

CMPT7410www.centralsemi.comSURFACE MOUNTLOW VCE(SAT) DESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7410 type PNP SILICON TRANSISTORis a PNP Low VCE(SAT) silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. This device is designed for battery driven, handheld devices requiring high current and Low VCE(SAT).MARKING

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History: PDTA114TU

 

 
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