CMPT7820 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMPT7820
Código: 78C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
CMPT7820 Datasheet (PDF)
cmpt7820.pdf

CMPT7820www.centralsemi.comSURFACE MOUNTVERY LOW VCE(SAT)DESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7820 is a very low VCE(SAT) PNP Transistor, designed forapplications where size and efficiency are primerequirements. Packaged in an industry standard SOT-23, this device brings updated electrical specifications and characteristics suitable for the most
cmpt7410.pdf

CMPT7410www.centralsemi.comSURFACE MOUNTLOW VCE(SAT) DESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7410 type PNP SILICON TRANSISTORis a PNP Low VCE(SAT) silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. This device is designed for battery driven, handheld devices requiring high current and Low VCE(SAT).MARKING
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZTX302M | NSVF4009SG4
History: ZTX302M | NSVF4009SG4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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