CMST6427E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMST6427E

Маркировка: C46

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.275 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15000

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для CMST6427E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMST6427E даташит

 ..1. Size:406K  central
 cmst6427e.pdf pdf_icon

CMST6427E

CMST6427E ENHANCED SPECIFICATION www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST6427E is an DARLINGTON TRANSISTOR Enhanced Specification, SUPERmini , NPN Silicon Darlington Transistor. High DC Current gains, coupled with a Low Saturation Voltage, make this an excellent choice for industrial/consumer applications where operational effi

Другие транзисторы: CMPTA94, CMPTA96, CMPTH81, CMST3410, CMST5086, CMST5087, CMST5088, CMST5089, 2N3904, CMST7410, CMUT2222A, CMUT2907A, CMUT3410, CMUT3904, CMUT3906, CMUT4401, CMUT4403