D44H8G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D44H8G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для D44H8G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D44H8G даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
d44h8g.pdfpdf_icon

D44H8G

D44H Series (NPN), D45H Series (PNP) Preferred Devices Complementary Silicon Power Transistors These series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors can be used as general purpose power amplification and switching such http //onsemi.com as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. 10 AMP COMPLEMENTARY Features SI

 9.1. Size:62K  st
d44h8 d44h11.pdfpdf_icon

D44H8G

D44H8 D44H11 NPN SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 3 2 DESCRIPTION 1 The D44H8, and D44H11 are silicon multiepitaxial planar NPN transistors mounted in TO-220 Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for various swit

 9.2. Size:182K  st
d44h8 d44h11 d45h8 d45h11.pdfpdf_icon

D44H8G

D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p

 9.3. Size:180K  st
d44h8 d44h11 d45h8-d45h11.pdfpdf_icon

D44H8G

D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p

Другие транзисторы: CMXT3946, CMXT7090L, D1815-R, D1816, D29D30, D304X, D3DD9D, D44H11G, BC327, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H