D44H8G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: D44H8G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO-220
Аналоги (замена) для D44H8G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
D44H8G даташит
d44h8g.pdf
D44H Series (NPN), D45H Series (PNP) Preferred Devices Complementary Silicon Power Transistors These series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors can be used as general purpose power amplification and switching such http //onsemi.com as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. 10 AMP COMPLEMENTARY Features SI
d44h8 d44h11.pdf
D44H8 D44H11 NPN SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 3 2 DESCRIPTION 1 The D44H8, and D44H11 are silicon multiepitaxial planar NPN transistors mounted in TO-220 Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for various swit
d44h8 d44h11 d45h8 d45h11.pdf
D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p
d44h8 d44h11 d45h8-d45h11.pdf
D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p
Другие транзисторы: CMXT3946, CMXT7090L, D1815-R, D1816, D29D30, D304X, D3DD9D, D44H11G, BC327, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H
History: KT8143Y | BC856BT | FMMT5447
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor









