Биполярный транзистор D882H Даташит. Аналоги
Наименование производителя: D882H
Маркировка: D882H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-89-3L
Аналог (замена) для D882H
D882H Datasheet (PDF)
d882h.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors D882H TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURE Low VCE(sat) Large current capacity 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAKING: D882H MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70
st2sd882ht.pdf

ST 2SD882HT NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. ECBTO-126 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 3 ACollector C
Другие транзисторы... D44H8G , D44VH10G , D45H11G , D45H1B , D45H8G , D45VH10G , D471A , D596 , S8550 , D882M , D965ASS , D965-R , D965SS , D965-T , D965V , DBC846BPDW1T1G , DBC847BPDW1T1G .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt