D882H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D882H  📄📄 

Маркировка: D882H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-89-3L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D882H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882H даташит

 ..1. Size:1578K  jiangsu
 d882h.pdf pdf_icon

D882H

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors D882H TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURE Low VCE(sat) Large current capacity 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAKING D882H MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70

 0.1. Size:439K  semtech
 st2sd882ht.pdf pdf_icon

D882H

ST 2SD882HT NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. E C B TO-126 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Collector C

Другие транзисторы: D44H8G, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, B772, D882M, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G