D965V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D965V  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1200

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D965V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D965V даташит

 ..1. Size:110K  jiangsu
 d965v.pdf pdf_icon

D965V

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 D965V TRANSISTOR (NPN) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 22 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы: D471A, D596, D882H, D882M, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, BC558, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ