DCP55-16-13 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DCP55-16-13  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для DCP55-16-13

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DCP55-16-13 даташит

 ..1. Size:474K  tysemi
 dcp55-16-13.pdf pdf_icon

DCP55-16-13

Product specification DCP55-16-13 SOT-223 Unit mm Features 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DCP52) +0.2 0.90-0.2 3.00+0.1 -0.1 +0.3 7.00-0.3 Ideally Suited for Automated Assembly Processes 4 Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications 1 base 1 2 3 0.70+0.1 -0.1 2.9

Другие транзисторы: DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ, DC8050, DC9018, 2SC945, CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP, CHP69GP, CHRT5993PT, CHRT5993TGP, CHRT5993WGP, CHT05GP