CHT5551GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHT5551GP  📄📄 

Маркировка: FT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для CHT5551GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHT5551GP даташит

 ..1. Size:150K  chenmko
 cht5551gp.pdf pdf_icon

CHT5551GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551GP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Small flat package. ( SOT-23 ) * Suitable for high packing density. (1) CONSTRUCTION (3) *NPN SILICON Transistor (2) CONSTRUCTION FT ( ) ( ) .055 1.40

 7.1. Size:102K  chenmko
 cht5551wgp.pdf pdf_icon

CHT5551GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551WGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. SC-70/SOT-323 FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * Suitable for high packing density. CONSTRUCTION 0.65 1.3 0.1 2.0 0.2 0.65 * NPN transistors in one package. 0.3 0.1 1.25 0.1

 7.2. Size:135K  chenmko
 cht5551zgp.pdf pdf_icon

CHT5551GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551ZGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. ( SC-73/SOT-223 ) * Suitable for high packing density. 1.65+0.15 6.50+0.20 0.90+0.05 2.0+0.3 3.00+0.10 CONSTRUCTION *NPN SIL

 7.3. Size:145K  chenmko
 cht5551sgp.pdf pdf_icon

CHT5551GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5551SGP SURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. ( SC-88/SOT-363 ) * Suitable for high packing density. (1) (6) CONSTRUCTION 0.65 1.2 1.4 2.0 2.2 *NPN SILICON Transistor 0.65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CHT4672XGP, CHT5113PGP, CHT5338ZGP, CHT5401GP, CHT5401SGP, CHT5401WGP, CHT5401XGP, CHT5401ZGP, A1941, CHT5551SGP, CHT5551WGP, CHT5551XGP, CHT5551ZGP, CHT5564XGP, CHT55GP, CHT5824XGP, CHT5889GP