Биполярный транзистор CHT5551GP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CHT5551GP
Маркировка: FT
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CHT5551GP
CHT5551GP Datasheet (PDF)
cht5551gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5551GPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small flat package. ( SOT-23 )* Suitable for high packing density.(1)CONSTRUCTION(3)*NPN SILICON Transistor(2)CONSTRUCTIONFT( ) ( ).055 1.40
cht5551wgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5551WGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.SC-70/SOT-323FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)* Suitable for high packing density.CONSTRUCTION0.651.30.12.00.20.65* NPN transistors in one package.0.30.11.250.1
cht5551zgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5551ZGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )* Suitable for high packing density.1.65+0.156.50+0.200.90+0.052.0+0.33.00+0.10CONSTRUCTION*NPN SIL
cht5551sgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5551SGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SC-88/SOT-363FEATURE* Small flat package. ( SC-88/SOT-363 )* Suitable for high packing density.(1) (6)CONSTRUCTION0.651.2~1.4 2.0~2.2*NPN SILICON Transistor0.65
cht5551xgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5551XGPSURFACE MOUNT NPN SILICON Transistor VOLTAGE 160 Volts CURRENT 0.6 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SC-62/SOT-89FEATURE* Suitable for high packing density.4.6MAX. 1.6MAX.1.7MAX. 0.4+0.05CONSTRUCTION*NPN SILICON Transistor+0.080.45-0.05+0.08 +0.080.40-0.05 0.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050