CHTA92ZGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHTA92ZGP  📄📄 

Маркировка: ZHP

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CHTA92ZGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHTA92ZGP даташит

 ..1. Size:142K  chenmko
 chta92zgp.pdf pdf_icon

CHTA92ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHTA92ZGP SURFACE MOUNT PNP SILICON Transistor VOLTAGE 300 Volts CURRENT 0.5 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. ( SC-73/SOT-223 ) * Suitable for high packing density. 1.65+0.15 6.50+0.20 0.90+0.05 2.0+0.3 3.00+0.10 CONSTRUCTION *PNP SILIC

 8.1. Size:122K  chenmko
 chta92xgp.pdf pdf_icon

CHTA92ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHTA92XGP SURFACE MOUNT PNP SILICON Transistor VOLTAGE 300 Volts CURRENT 0.5 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SC-62/SOT-89 FEATURE * Suitable for high packing density. 4.6MAX. 1.6MAX. 1.7MAX. 0.4+0.05 CONSTRUCTION *PNP SILICON Transistor +0.08 0.45-0.05 MARKING +0.08 +0.08 0.40

 8.2. Size:90K  chenmko
 chta92lgp.pdf pdf_icon

CHTA92ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHTA92LGP SURFACE MOUNT High Voltage PNP Transistor VOLTAGE 300 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE SOT-23 * Surface mount package. (SOT-23) * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-20mA) * Low cob. Cob=6.0pF(Typ.) * PD= 300mW (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability. (1) (3)

Другие транзисторы: CHTA29XGP, CHTA42LGP, CHTA42XGP, CHTA42ZGP, CHTA44ZGP, CHTA64ZGP, CHTA92LGP, CHTA92XGP, 2222A, DK10, DK100, DK101, DK11, DK150, DK151, DK200, DK201