DK101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK101  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK101 даташит

 ..1. Size:31K  shaanxi
 dk101.pdf pdf_icon

DK101

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK101, DK151, NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switch

 0.1. Size:181K  china
 3dk101.pdf pdf_icon

DK101

3DK101 NPN A B C PCM TC=25 200 mW ICM 40 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 30 20 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 25 15 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A VB

Другие транзисторы: CHTA42ZGP, CHTA44ZGP, CHTA64ZGP, CHTA92LGP, CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, DK100, D965, DK11, DK150, DK151, DK200, DK201, DK30, DK300, DK301