DK200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK200  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK200 даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 dk200.pdf pdf_icon

DK200

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK200 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switc

Другие транзисторы: CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, DK100, DK101, DK11, DK150, DK151, 2SC2240, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31, DK313, DK319, DK50