DK313 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK313  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK313

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK313 даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 dk313.pdf pdf_icon

DK313

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK313 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97. 4. Use for high power switch circuit,switching voltage-stabilized sourcefy

Другие транзисторы: DK150, DK151, DK200, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31, BC547B, DK319, DK50, DK51, DMA20101, DMA20201, DMA20401, DMA20402, DMA20403