DSC3G03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSC3G03

Маркировка: C6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SSSMINI3-F2-B

 Аналоги (замена) для DSC3G03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DSC3G03 даташит

 ..1. Size:455K  panasonic
 dsc3g03.pdf pdf_icon

DSC3G03

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC3G03 Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification DSC5G03 in SSSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SSSMini3-F2-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

Другие транзисторы: DSC2A01, DSC2C01, DSC2F01, DSC2G02, DSC2G03, DSC2P01, DSC3001, DSC3F01, TIP35C, DSC4001, DSC4002, DSC4005, DSC4501, DSC5001, DSC5002, DSC5005, DSC5501