2PB710R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2PB710R  📄📄 

Маркировка: CR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2PB710R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2PB710R даташит

 8.1. Size:57K  philips
 2pb710arl-asl.pdf pdf_icon

2PB710R

2PB710ARL; 2PB710ASL 50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Rev. 01 29 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEDEC 2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL 2PB710ASL 2PD60

 8.2. Size:192K  philips
 2pb710a.pdf pdf_icon

2PB710R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D114 2PB710A PNP general purpose transistor Product data sheet 1999 May 31 Supersedes data of 1999 Apr 23 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistor 2PB710A FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector

 8.3. Size:47K  philips
 2pb710a 6.pdf pdf_icon

2PB710R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 2PB710A PNP general purpose transistor 1999 May 31 Product specification Supersedes data of 1999 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor 2PB710A FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collecto

 8.4. Size:57K  nxp
 2pb710axl.pdf pdf_icon

2PB710R

2PB710ARL; 2PB710ASL 50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Rev. 01 29 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEDEC 2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL 2PB710ASL 2PD60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2PB709AS, 2PB709Q, 2PB709R, 2PB709S, 2PB710AQ, 2PB710AR, 2PB710AS, 2PB710Q, 2SA1837, 2PB710S, 2S001, 2S002, 2S003, 2S004, 2S005, 2S012, 2S012A