DSC9G02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSC9G02

Маркировка: C5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: SSMINI3-F3-B

 Аналоги (замена) для DSC9G02

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DSC9G02 даташит

 ..1. Size:465K  panasonic
 dsc9g02.pdf pdf_icon

DSC9G02

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC9G02 Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification DSC5G02 in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SSMini3-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

Другие транзисторы: DSC8004, DSC8102, DSC8505, DSC8P01, DSC8Q01, DSC9001, DSC9A01, DSC9F01, BC549, DSCF001, DSCQ001, DSS4160DS, DSS4160T, DSS5160T, DT430, L2SA1235FLT1G, L2SA1577PT1G