Справочник транзисторов. L2SA1235FLT1G

 

Биполярный транзистор L2SA1235FLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SA1235FLT1G
   Маркировка: A5F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для L2SA1235FLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SA1235FLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:967K  lrc
l2sa1235flt1g.pdfpdf_icon

L2SA1235FLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorDESCRIPTION L2SA1365FLT1G is a mini package silicon PNP epitaxial transistor, L2SA1235FLT1Git is designed for low frequency voltage application.S-L2SA1235FLT1G . FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max ( @I c=-100mA, I B=-10mA)3Excellent linearity of DC forward current gain.

 9.1. Size:165K  lrc
l2sa1036kplt1g.pdfpdf_icon

L2SA1235FLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power Transistor(*32V, *0.5A)L2SA1036KQLT1G SeriesL2SA1036KQLT1G SeriesS-L2SA1036KQLT1G SeriesFFeatures1) Large IC.ICMax. = *500mA2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage3operation.3) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.14)S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site2a

 9.2. Size:141K  lrc
l2sa1576aqt1g.pdfpdf_icon

L2SA1235FLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SA1576AQT1G Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SA1576AQT1G Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.ORDERING INFORMATION3ShippingDevice PackageL2SA1576A

 9.3. Size:141K  lrc
l2sa1576aqt1g l2sa1576art1g l2sa1576ast1g.pdfpdf_icon

L2SA1235FLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SA1576AQT1G Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-L2SA1576AQT1G Series and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.ORDERING INFORMATION3ShippingDevice PackageL2SA157

Другие транзисторы... DSC9F01 , DSC9G02 , DSCF001 , DSCQ001 , DSS4160DS , DSS4160T , DSS5160T , DT430 , D667 , L2SA1577PT1G , FMBS2383 , FMBT5401LG , GCA1943T , GMA6801 , GMC6802 , KSR16 , KSR16-HF .

History: A178 | CHDTC124TEGP | 2SC3808 | CHDTC144EEGP | 2SA712

 

 
Back to Top

 


 
.