Биполярный транзистор KST50 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KST50
Маркировка: AS1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SOT-89
Аналог (замена) для KST50
KST50 Datasheet (PDF)
kst50.pdf

SMD Type TransistorsNPN Darlington TransistorsKST50; KST51; KST52(BST50; BST51; BST52)SOT-89 Unit: mm+0.1Features 4.50+0.1 1.50-0.1-0.11.80+0.1-0.1High current (max. 0.5 A)Low voltage (max. 80 V)Integrated diode and resistor.+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.11. Base3.00+0.1-0.12. Collector3. EmiitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbo
kst5088.pdf

KST5088/50893Low Noise Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage: KST5088 35 V: KST5089 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage: KST5088 30 V: KST5089 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 4.5 VIC Collector Current 50 mAPC
kst5086 kst5087.pdf

KST5086/5087Low Noise Transistor32SOT-231PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -3 VIC Collector Current -50 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Te
kst5088.pdf

KST5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW NOISE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO:KST5088 35 V:KST5089 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO :KST5088 30 V:KST5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 3DG101 | RCS617 | BSV23M
History: 3DG101 | RCS617 | BSV23M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620