ETF81-050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ETF81-050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M101

 Аналоги (замена) для ETF81-050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ETF81-050 даташит

 ..1. Size:128K  china
 etf81-050.pdf pdf_icon

ETF81-050

http //store.iiic.cc/ http //store.iiic.cc/ http //store.iiic.cc/ http //store.iiic.cc/

Другие транзисторы: EMX52, EMY1, EMZ1FHA, EMZ2, EMZ2FHA, EMZ51, EMZ52, EMZ7, TIP3055, ETG81-050A, ETL81-050, ETN35-030, F8050HPLG, F8050HQLG, FMB2907A, EMT52, EMX18