Биполярный транзистор ETN35-030 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ETN35-030
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: BBTIII
     - подбор биполярного транзистора по параметрам