ETN35-030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ETN35-030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: BBTIII

 Аналоги (замена) для ETN35-030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ETN35-030 даташит

 ..1. Size:49K  china
 etn35-030.pdf pdf_icon

ETN35-030

Другие транзисторы: EMZ2, EMZ2FHA, EMZ51, EMZ52, EMZ7, ETF81-050, ETG81-050A, ETL81-050, TIP42C, F8050HPLG, F8050HQLG, FMB2907A, EMT52, EMX18, EMX1DXV6T1G, EMX1DXV6T5G, EMX1FHA