ETN35-030 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ETN35-030
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: BBTIII
Аналоги (замена) для ETN35-030
ETN35-030 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... EMZ2 , EMZ2FHA , EMZ51 , EMZ52 , EMZ7 , ETF81-050 , ETG81-050A , ETL81-050 , TIP42C , F8050HPLG , F8050HQLG , FMB2907A , EMT52 , EMX18 , EMX1DXV6T1G , EMX1DXV6T5G , EMX1FHA .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a