Справочник транзисторов. DMA50601

 

Биполярный транзистор DMA50601 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DMA50601
   Маркировка: B2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для DMA50601

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMA50601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  panasonic
dma50601.pdfpdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMA50601Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplificationDMA20601 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reductio

 8.1. Size:409K  panasonic
dma506e1.pdfpdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMA506E1Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplificationDMA206E1 in SMini6 type package Package Features High transition frequency fT Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini6-F3-B Eco-friendly Halogen-free packagePackage dimension clicks here

 9.1. Size:302K  fairchild semi
fdma507pz.pdfpdf_icon

DMA50601

May 2010FDMA507PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -7.8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charge or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -5 V, ID = -7.8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 25 m at VGS = -4.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-stade resist

 9.2. Size:405K  panasonic
dma50201.pdfpdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMA50201Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplificationDMA20102 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reductio

Другие транзисторы... DD03T , DD04 , DD04T , DD05 , DD05T , DMA50101 , DMA50201 , DMA50401 , 2222A , DMA50601 , DMBT2222 , DMBT2222A , DMBT2907A , DMBT3904 , DMBT3906 , DMBT4401 , DMBT4403 .

History: RN4986AFS | BD372 | BUX76 | CSB1426P | 2SB549 | 2SA325 | RN2971FE

 

 
Back to Top

 


 
.