DMA50601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMA50601

Маркировка: B2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для DMA50601

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMA50601 даташит

 ..1. Size:396K  panasonic
 dma50601.pdf pdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMA50601 Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification DMA20601 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reductio

 8.1. Size:409K  panasonic
 dma506e1.pdf pdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMA506E1 Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification DMA206E1 in SMini6 type package Package Features High transition frequency fT Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SMini6-F3-B Eco-friendly Halogen-free package Package dimension clicks here

 9.1. Size:302K  fairchild semi
 fdma507pz.pdf pdf_icon

DMA50601

May 2010 FDMA507PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -7.8 A, 24 m Features General Description This device is designed specifically for battery charge or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -5 V, ID = -7.8 A switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 25 m at VGS = -4.5 V, ID = -7 A It features a MOSFET with low on-stade resist

 9.2. Size:405K  panasonic
 dma50201.pdf pdf_icon

DMA50601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMA50201 Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification DMA20102 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reductio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DD03T, DD04, DD04T, DD05, DD05T, DMA50101, DMA50201, DMA50401, BC549, DMA50601, DMBT2222, DMBT2222A, DMBT2907A, DMBT3904, DMBT3906, DMBT4401, DMBT4403