DMBT5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMBT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DMBT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMBT5551 даташит

 ..1. Size:128K  dc components
 dmbt5551.pdf pdf_icon

DMBT5551

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT5551 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .

 9.1. Size:125K  dc components
 dmbt5401.pdf pdf_icon

DMBT5551

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT5401 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .

Другие транзисторы: DMBT2222, DMBT2222A, DMBT2907A, DMBT3904, DMBT3906, DMBT4401, DMBT4403, DMBT5401, MPSA42, DMBT8050, DMBT8550, DMBT9012, DMBT9013, DMBT9014, DMBT9018, DMBTA42, DMBTA44