Справочник транзисторов. DMBT5551

 

Биполярный транзистор DMBT5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DMBT5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DMBT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  dc components
 dmbt5551.pdf pdf_icon

DMBT5551

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT5551DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for general purpose applications requiring high breakdown voltage.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 3.063(1.60) .108(0.65)3 = Collector.055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).

 9.1. Size:125K  dc components
 dmbt5401.pdf pdf_icon

DMBT5551

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT5401DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for general purpose applications requiring high breakdown voltage.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 3.063(1.60) .108(0.65)3 = Collector.055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.