Справочник транзисторов. DMBT9013

 

Биполярный транзистор DMBT9013 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DMBT9013
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для DMBT9013

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMBT9013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  dc components
 dmbt9013.pdf pdf_icon

DMBT9013

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT9013DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for low frequency amplifier applications.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 33 = Collector .063(1.60) .108(0.65).055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).034(0.85).091(2.30)Cha

 7.1. Size:77K  dc components
 dmbt9018.pdf pdf_icon

DMBT9013

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT9018DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in AM/FM amplifier and local oscillator of FM/VHF tuner.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 3.063(1.60) .108(0.65)3 = Collector.055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15).034

 7.2. Size:173K  dc components
 dmbt9012.pdf pdf_icon

DMBT9013

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT9012DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for low frequency amplifier applications.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 33 = Collector .063(1.60) .108(0.65).055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).034(0.85).091(2.30)Cha

 7.3. Size:157K  dc components
 dmbt9014.pdf pdf_icon

DMBT9013

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT9014DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in pre-amplifier of low level and low noise.SOT-23.020(0.50).012(0.30)Pinning1 = Base 32 = Emitter .063(1.60) .108(0.65)3 = Collector.055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).034(0.85).

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... DMBT3906 , DMBT4401 , DMBT4403 , DMBT5401 , DMBT5551 , DMBT8050 , DMBT8550 , DMBT9012 , 2SC1740 , DMBT9014 , DMBT9018 , DMBTA42 , DMBTA44 , DMC20101 , DMC201A0 , DMC201E0 , DMC20201 .

History: BD505-1

 

 
Back to Top

 


 
.