Биполярный транзистор DMC205E0 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMC205E0
Маркировка: C8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: SOT-457
DMC205E0 Datasheet (PDF)
dmc205e0.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC205E0Silicon NPN epitaxial planar typeFor High frequency amplificationDMC505E0 in Mini6 type package Features Package High transition frequency fT Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini6-G4-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Emitter
dmc2053uvt.pdf
DMC2053UVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device BVDSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 35m @ VGS = 4.5V 4.6A Low Input/Output Leakage N-Channel 20V 43m @ VGS = 2.5V 4.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 74m @ VGS = -4
dmc20501.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC20501Silicon NPN epitaxial planar typeFor general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Nam
dmc205c0.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC205C0Silicon NPN epitaxial planar typeFor low frequency amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. P
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050