Биполярный транзистор DME50B01 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DME50B01
Маркировка: A3
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
Корпус транзистора: SMINI5-F3-B
DME50B01 Datasheet (PDF)
dme50b01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50B01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20B01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C
dme50101.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50101Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co
dme50501.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50501Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20501 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B C
dme50c01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50C01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20C01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050