Справочник транзисторов. DME50C01

 

Биполярный транзистор DME50C01 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: DME50C01
   Маркировка: A4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SMINI5-F3-B

 Аналоги (замена) для DME50C01

 

 

DME50C01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  panasonic
dme50c01.pdf

DME50C01 DME50C01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50C01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20C01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C

 9.1. Size:526K  panasonic
dme50101.pdf

DME50C01 DME50C01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50101Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co

 9.2. Size:517K  panasonic
dme50501.pdf

DME50C01 DME50C01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50501Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20501 in SMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B C

 9.3. Size:527K  panasonic
dme50b01.pdf

DME50C01 DME50C01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50B01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20B01 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top