DME914C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DME914C1

Маркировка: T5

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для DME914C1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DME914C1 даташит

 ..1. Size:490K  panasonic
 dme914c1.pdf pdf_icon

DME914C1

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME914C1 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component

 9.1. Size:260K  fairchild semi
 fdme910pzt.pdf pdf_icon

DME914C1

February 2015 FDME910PZT P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -8 A, 24 m Features General Description This device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 A switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 31 m at VGS = -2.5 V, ID = -7 A It features a MOSFET with low on-state resistance

 9.2. Size:425K  onsemi
 fdme910pzt.pdf pdf_icon

DME914C1

FDME910PZT P-Channel PowerTrench MOSFET General Description -20 V, -8 A, 24 m This device is designed specifically for battery charging or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. Features It features a MOSFET with low on-state resistance and zener Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 A diode protection against ESD. The MicroFET 1.6x1.6 T

Другие транзисторы: DMC505E0, DMC505E2, DMC50601, DMC506E2, DME50101, DME50501, DME50B01, DME50C01, D882, DMG20102, DMG20401, DMG20402, DMG204A0, DMG204B0, DMG204B1, DXT13003DG, DXT13003DK