Биполярный транзистор DME914C1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DME914C1
Маркировка: T5
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-563
DME914C1 Datasheet (PDF)
dme914c1.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME914C1Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component
fdme910pzt.pdf
February 2015FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 31 m at VGS = -2.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-state resistance
fdme910pzt.pdf
FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description-20 V, -8 A, 24 mThis device is designed specifically for battery charging or load switching in cellular handset and other ultraportable applications.FeaturesIt features a MOSFET with low on-state resistance and zener Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Adiode protection against ESD. The MicroFET 1.6x1.6 T
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050