DXTD882. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DXTD882

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для DXTD882

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DXTD882 даташит

 ..1. Size:87K  dc components
 dxtd882.pdf pdf_icon

DXTD882

DC COMPONENTS CO., LTD. DXTD882 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relay driver. SOT-89 .063(1.60) .066(1.70) Pinning .055(1.40) .059(1.50) 1 = Base 2 = Collector 3 = Emitter .102(2.60) .167(4.25) .095(2.40) .159(4.05) 1 2 3 Absolute Maximu

Другие транзисторы: DMG204B1, DXT13003DG, DXT13003DK, DXT13003EK, DXT2012P5, DXT2014P5, DXT5616U, DXT696BK, A733, DXTN26070CY, E13005-225, E13005-250, E13005D-213, ECH8502-TL-H, ECH8503-TL-H, EML22, EMT18