Биполярный транзистор ECH8503-TL-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ECH8503-TL-H
Маркировка: MC
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: ECH8
Аналоги (замена) для ECH8503-TL-H
ECH8503-TL-H Datasheet (PDF)
ech8503.pdf
ECH8503Ordering number : ENA1680SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorECH8503Motor Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO
ech8503.pdf
Ordering number : ENA1680AECH8503Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )50V, 5A, Low VCE sat PNP Dual ECH8Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO -50 VCollector-to-Emi
ech8502.pdf
ECH8502Ordering number : ENA1758SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8502Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
ech8501.pdf
ECH8501Ordering number : ENA1581SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8501Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
ech8502.pdf
Ordering number : ENA1758AECH8502Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( )50V, 30A, Low VCE sat Complementary Dual ECH8Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free compliance( ): PN
ech8501.pdf
Ordering number : ENA1581AECH8501Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( )30V, 30A, Low VCE sat Complementary Dual ECH8Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free compliance( ): PN
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
