Биполярный транзистор EMT2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMT2
Маркировка: T2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: EMT6
EMT2 Datasheet (PDF)
emt2 umt2n imt2a.pdf
EMT2 / UMT2N / IMT2ADatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 EMT6 UMT6VCEO-50VIC-150mA EMT2 UMT2NSOT-563 SOT-363 SMT6lFeaturesl1) Two 2SA1037AK chips in a EMT, UMT or SMT package.IMT2A2) Mounting possible with EMT3, UMT3 or SMT3SOT-457
emt2.pdf
EMT2 / UMT2N / IMT2A Transistors General purpose (dual transistors) EMT2 / UMT2N / IMT2A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMT2(4) (3) ( ) ( )5 2(6) (1)1.2 Equivalent circuits 1.6EMT2 / UMT2N IMT2A(3) (2) (1) (4) (5) (6)Each lead has same dimensionsROHM : EMT6Tr1 Tr1Tr2 Tr2UMT2N(4) (5) (
emt2fha.pdf
EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRAEMT2 / UMT2N / IMT2A TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMT2 / UMT2N / IMT2A EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRA External dimensions (Unit : mm) Features2SA1037AKFRA1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMT2FHAEMT2(4) (3)( ) ( )5 2(6) (1)1.2 Equivalent circuits1.6EMT2FHA / UMT2NFHA IMT2
emt2fha umt2nfha imt2afra.pdf
EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRAEMT2 / UMT2N / IMT2A TransistorsAEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual transistors) EMT2 / UMT2N / IMT2A EMT2FHA / UMT2NFHA / IMT2AFRA External dimensions (Unit : mm) Features2SA1037AKFRA1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. EMT2FHAEMT2(4) (3)( ) ( )5 2(6) (1)1.2 Equivalent circuits1.6EMT2FHA / UMT2NFHA IMT2
emt2dxv6t5-d.pdf
EMT2DXV6T5Dual General PurposeTransistorPNP DualThis transistor is designed for general purpose amplifierapplications. It is housed in the SOT-563 which is designed for lowhttp://onsemi.compower surface mount applications. Lead-Free Solder Plating (3) (2) (1) Low VCE(SAT),
chemt2gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMT2GPSURFACE MOUNTDual Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpereAPPLICATION* Small Signal Amplifier .FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=4.0pF(Typ.)* PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded.* High saturation current capabili
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050