L9012 - описание и поиск аналогов

 

L9012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L9012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для L9012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L9012 даташит

 ..1. Size:151K  lrc
l9012.pdfpdf_icon

L9012

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNP Epitaxial Silicon L9012 Transistor 1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC= -500mA) Complementary to L9013 TO-92 1 Excellent hFE linearity. 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbo

 0.1. Size:75K  lrc
l9012plt1g l9012qlt1g l9012rlt1g l9012slt1g.pdfpdf_icon

L9012

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9012PLT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

 0.2. Size:82K  lrc
l9012plt1g.pdfpdf_icon

L9012

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9012PLT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

 0.3. Size:79K  lrc
l9012plt1g l9012plt3g l9012qlt1g l9012qlt3g l9012rlt1g l9012rlt3g l9012slt1g l9012slt3g l9012rlt3g.pdfpdf_icon

L9012

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L9012PLT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

Другие транзисторы: L2SC4226T1G, L2SC5343QLT1G, L2SC5343RLT1G, L2SC5343SLT1G, L2SC5635LT1G, L2SD1781KQLT1G, L8050HSLT1G, L8550HSLT1G, 13005, L9013, L9014, LBC807-16DMT1G, LBC807-25DMT1G, LBC807-40DMT1G, LBC817-16DMT1G, LBC817-16DPMT1G, LBC817-25DMT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.